Giới thiệu chi tiết về chip chuyển tiếp trạng thái rắn-
Chip chuyển tiếp trạng thái rắn-là một thiết bị chuyển mạch điện tử không tiếp xúc sử dụng các đặc tính điện của các thành phần bán dẫn-chẳng hạn như bóng bán dẫn và thyristor-để điều khiển chuyển mạch. Nó thực hiện các chức năng chuyển đổi hoàn toàn thông qua các đặc tính trạng thái rắn-của vật liệu bán dẫn, loại bỏ các tiếp điểm cơ học có thể di chuyển được trong rơ-le điện từ truyền thống; do đó có tên. Không giống như rơle điện từ truyền thống dựa vào lực điện từ để kích hoạt các tiếp điểm cơ học nhằm chuyển mạch, SSR quản lý việc điều khiển hoàn toàn thông qua sự thay đổi trạng thái dẫn và cắt của các thành phần bán dẫn. Điều này cho phép cách ly điện giữa mạch điều khiển và mạch tải đồng thời cho phép các hoạt động chuyển mạch diễn ra mà không cần chuyển động cơ học.
Mẫu cụ thể của chip chuyển tiếp trạng thái rắn-
TPSI2260-Q1 là chip chuyển tiếp trạng thái rắn-được thiết kế dành riêng cho các ứng dụng công nghiệp và ô tô điện áp cao-. Nó tích hợp công nghệ cách ly điện dung được tăng cường có độ tin cậy cao với các MOSFET giáp lưng--bên trong để cung cấp giải pháp tích hợp đầy đủ giúp loại bỏ nhu cầu về nguồn điện-thứ cấp. TPSI2260-Q1 nâng cao độ tin cậy của hệ thống vì công nghệ cách ly điện dung của TI miễn nhiễm với các chế độ hư hỏng cơ học hoặc suy giảm quang học thường gặp ở rơle cơ và rơle quang.
Phía sơ cấp của thiết bị hoạt động với dòng điện đầu vào chỉ 5 mA và có chân EN-an toàn khi dự phòng tích hợp, ngăn chặn khả năng cấp nguồn ngược cho nguồn VDD. Trong hầu hết các ứng dụng, chân VDD của thiết bị kết nối với nguồn điện hệ thống có dải điện áp từ 4,5 V đến 20 V, trong khi chân EN được điều khiển bởi đầu ra GPIO cung cấp mức logic-cao trong khoảng từ 2,1 V đến 20 V. Trong các cấu hình khác, cả hai chân VDD và EN đều có thể được điều khiển trực tiếp bằng nguồn điện hệ thống hoặc đầu ra GPIO.
Phía thứ cấp kết hợp các MOSFET mặt sau, cung cấp định mức điện áp ở trạng thái tắt là ±600 V (S1 đến S2). Thiết kế gói nhạy cảm với nhiệt độ và khả năng chống tuyết lở MOSFET của TPSI2260-Q1 cho phép hỗ trợ đáng tin cậy cho việc kiểm tra điện áp chịu đựng điện môi cấp độ hệ thống-(HiPot) và cho phép nó chịu được dòng điện tăng vọt của bộ sạc DC-lên đến 1 mA mà không cần các bộ phận bên ngoài (so với 0,6 mA đối với TPSI2240C-Q1 và 3 mA đối với TPSI2260T-Q1).
Thông số chip chuyển tiếp trạng thái rắn-
|
FET |
Nội bộ |
|
Số lượng kênh |
1 |
|
Điện áp chuyển mạch (tối đa) (V) |
600 |
|
Đánh giá |
ô tô |
|
Chịu được điện áp cách ly (VISO) (Vrms) |
5000 |
|
Đặc trưng |
Dòng điện lở 2-mA, cách ly điện dung |
|
Imax (mA) |
50 |
|
Ron (typ) (Ω) |
70 |
|
hạng mục an toàn chức năng |
Chức năng an toàn-Có khả năng |
|
Phạm vi nhiệt độ hoạt động (độ) |
-40 đến 125 |
|
Dòng rò trạng thái TẮT{0}} (µA) |
1 |
|
Đánh giá cách ly |
gia cố |
|
Điện áp cách ly đột biến (VIOSM) (VPK) |
10000 |
|
Điện áp cách ly làm việc (VIOWM) (Vrms) |
1000 |
Chú phổ biến: chip chuyển tiếp trạng thái rắn-, nhà sản xuất, nhà cung cấp chip chuyển tiếp trạng thái rắn-của Trung Quốc
