Giới thiệu về Transitor MOSFET
Bóng bán dẫn là một loại thiết bị bán dẫn trạng thái rắn-tạo thành các thành phần cơ bản cốt lõi của ngành điện tử hiện đại. Loại thiết bị này có thể thực hiện nhiều chức năng chính, bao gồm khuếch đại tín hiệu điện, chỉnh lưu, điều chỉnh điện áp, vận hành chuyển mạch và điều chế tín hiệu.
Phân loại Transistor MOSFET
Dựa trên sự khác biệt trong quá trình thiết kế và chế tạo cấu trúc, bóng bán dẫn thường được phân thành hai loại chính: Bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực và Bóng bán dẫn hiệu ứng trường-, khác biệt đáng kể về cơ chế vận hành và kịch bản ứng dụng. BJT sử dụng cả electron và lỗ trống làm chất mang điện để dẫn dòng điện và có thể được phân loại thêm thành các thiết bị loại NPN- và loại PNP-theo cấu hình pha tạp tương ứng của chúng.
Với mức tăng dòng điện cao và độ ổn định hoạt động tốt, BJT được sử dụng rộng rãi trong khuếch đại tín hiệu, điều khiển công suất và các lĩnh vực liên quan khác và là thành phần cốt lõi phổ biến trong các mạch tương tự. Ngược lại, FET chỉ dẫn dòng điện qua một loại hạt mang điện và do đó được phân loại là bóng bán dẫn đơn cực. Chúng có thể được chia tiếp thành các Transistor hiệu ứng trường nối-(JFET) và Transistor hiệu ứng-Trường cổng-cách điện (IGFET), trong đó Transistor hiệu ứng-Oxide-Kim loại-Bán dẫn hiệu ứng (MOSFET) được sử dụng rộng rãi nhất. MOSFET có ưu điểm là trở kháng đầu vào cao, mức tiêu thụ điện năng thấp, quy trình chế tạo đơn giản và khả năng tương thích tuyệt vời với-sản xuất tích hợp quy mô lớn. Những đặc tính này khiến chúng trở thành thành phần cốt lõi của các mạch tích hợp kỹ thuật số hiện đại, bao gồm các bộ xử lý trung tâm máy tính (CPU) và chip bộ nhớ.
Lấy bóng bán dẫn lưỡng cực loại NPN-được sử dụng rộng rãi làm ví dụ điển hình, thiết bị này bao gồm ba vùng bán dẫn xếp chồng lên nhau: vùng phát, vùng cơ sở và vùng thu. Mỗi vùng trong số ba vùng được kết nối với một điện cực bên ngoài tương ứng, cụ thể là bộ phát, đế và bộ thu. Khi tín hiệu dòng điện yếu được đưa vào cực cơ sở, nó có thể điều chỉnh biên độ của dòng điện lớn đi qua bộ thu một cách hiệu quả. Thông qua hiệu ứng khuếch đại dòng điện này, tín hiệu điện yếu có thể được khuếch đại lên hàng chục đến hàng trăm nghìn lần để thực hiện chức năng khuếch đại tín hiệu. Bằng cách điều chỉnh dòng điện cơ sở để chuyển đổi giữa trạng thái-ngắt và trạng thái bão hòa, bóng bán dẫn có thể thực hiện các chức năng chuyển mạch điện tử; đặc tính này tạo thành nền tảng phần cứng để hiện thực hóa logic nhị phân 0/1 trong các hệ thống mạch kỹ thuật số.
Mô hình bóng bán dẫn MOSFET cụ thể
The JFE2140 is a Burr-Brown™ matched-pair discrete JFET manufactured via a modern high-performance analog bipolar process, delivering performance that cannot be achieved by conventional discrete JFET technologies. The JFE2140 provides excellent noise performance across all current ranges, with a user-settable quiescent current ranging from 50 µA to 20 mA. At a bias current of 5 mA, the device achieves an input-referred noise of 0.9 nV/√Hz, delivering ultra-low noise performance together with extremely high input impedance (>1 TΩ). Ngoài ra, JFET được khớp trong phạm vi ±4 mV, đảm bảo điện áp bù thấp và hiệu suất CMRR cao trong cấu hình cặp vi sai. JFE2140 cũng được trang bị điốt tích hợp được kết nối với các nút kẹp độc lập, cung cấp khả năng bảo vệ mà không yêu cầu điốt bên ngoài-có độ rò rỉ cao, phi{6}}tuyến tính.
JFE2140 có thể chịu được điện áp xả-đến{2}}nguồn tối đa là 40 V, cũng như điện áp cổng-đến-nguồn và cổng-để-cống tối đa là –40 V. Thiết bị được chỉ định để hoạt động trong phạm vi nhiệt độ từ –40 độ đến +125 độ .
Thông số bóng bán dẫn MOSFET
|
Số lượng kênh |
2 |
|
Vn ở 1 kHz (nV√Hz) |
0.9 |
|
Điện áp đánh thủng (V) |
40 |
|
VDS (V) |
40 |
|
VGS (V) |
-40 |
|
Đánh giá |
Danh mục |
|
Phạm vi nhiệt độ hoạt động (độ) |
-40 đến 125 |
Chú phổ biến: bóng bán dẫn mosfet, nhà sản xuất, nhà cung cấp bóng bán dẫn mosfet Trung Quốc
